KSD882YS دیتاشیت

KSD882YS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KSD882YS
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت KSD882YS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi KSD882YS
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 10W
  • Transition Frequency (fT): 90MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@1A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@2A,200mA
  • Package: TO-126-3
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه